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N溝道MOSFET係列采用先進溝槽工藝與超結技術，實現業界領先的低導通電阻（低至0.59mΩ@10V）與優值係數（FOM）610，顯著降低開關損耗（Qgd×RDS(on)優化46%）及導通損耗，提升電源轉換效率。產品支持4.5V邏輯電平驅動，兼容3.3V/5V MCU控製，適用於高頻開關場景69。全係提供-55℃至175℃寬工作結溫範圍，通過AEC-Q101可靠性認證，具備高雪崩能量（單脈衝325mJ）及低柵極電荷（典型值9.1nC）特性6710。封裝涵蓋SOP Advance(N)、TO-252-2L、PQFN 3.3×3.3等緊湊設計，滿足服務器電源、通信設備、藍牙耳機音頻管理、快充模塊及工業電源的高功率密度與高可靠性需求

P溝道MOSFET係列提供高性能功率管理解決方案，覆蓋-20V至-150V寬電壓範圍，滿足工業、汽車及消費電子嚴苛需求689。產品采用先進溝槽技術，實現超低導通電阻（最低1.8mΩ@VGS=-10V），顯著降低導通損耗並提升係統能效46。支持-3A至-85A寬電流範圍及高脈衝電流能力（-240A），確保高負載場景下的穩定性278。低柵極電荷（典型值7nC）與快速開關特性（td(on)≤15ns），優化高頻PWM與電源轉換應用36。封裝兼容SOT-23、TO-252等緊湊設計，符合AEC-Q101認證，適用於藍牙耳機音頻放大、電池保護、DC-DC轉換及空間級高可靠性係統7910。

軍工級MOSFET MOS係列產品，嚴格遵循MIL-PRF-19500及JAN認證標準，專為極端環境設計。全係列采用密封TO-205AD（TO-39）、陶瓷LCC等封裝，支持-55℃至+175℃寬溫工作範圍，耐受325℃峰值加工溫度，確保航空航天、衛星電源及軍用裝備的高可靠性需求158。器件具備抗輻射性能（TID 100krad~300krad，LET 87 MeV·cm²/mg），有效抵禦空間粒子幹擾36。特性包括：1200V/60V高壓支持、40mΩ~5Ω超低導通電阻、8ns高速開關，適配DC-DC轉換、電機驅動及固態繼電器應用510。提供雙向瞬態電壓抑製，集成體二極管保護，顯著提升係統穩定性與壽命