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EMS保護器件

TVS 瞬態抑製二極管 ESD 靜電保護元件 PPTC 自恢複保險絲 TSS 半導體放電管 GDT 氣體放電管 SBR 肖特基二極管 MOV 壓敏電阻 NTC 熱敏電阻

EMI抑製器件

信號共模濾波電感電源共模濾波電感功率電感磁珠

PowerDevices功率器件

碳化矽（SiC）產品 MOSFET RD 整流二極管 ZD 齊納二極管

SPD防雷模組

電源防雷器 PSPD 信號防雷器 SSPD 監控防雷器 PSSPD Signal 信號保護防雷模組

Cross Reference 競品對照

ESD係列 TVS係列 ZNO 壓敏電阻 GDT 氣體放電管 PPTC 自恢複保險絲

首頁產品選型 PowerDevices功率器件 MOSFET

N MOS

功能介紹

先進的工藝製造技術、更優(you) 的工藝條件、優(you) 化設計結構

低產(chan) 品導通電阻、優(you) 化開關(guan) 特性

高可靠性、全方位評估體(ti) 係保證產(chan) 品質量

電機驅動、電池管理係統、負載開關(guan) 、通信等工業(ye) 或超工業(ye) 級應用場景

多樣化的貼片封裝形式：DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-223、SOT-89、

多樣化的插件封裝形式：TO-247、TOLL、TO-263、TO-220、TO-252、TO-251、SOP-8、

專(zhuan) 業(ye) 、專(zhuan) 注細分市場的產(chan) 品特性研究、開發符合行業(ye) 特色的產(chan) 品

產品規格

相關產品

OLL MOSFET係列采用先進的晶體管外形無引線封裝（TOLL），顯著提升功率密度與電氣性能。其緊湊設計（9.90×11.68 mm²，高度2.3 mm）較傳統TO-263減少30% PCB占板麵積及60%體積，適配高密度電源設計36。全係列具備超低導通電阻（最低0.77 mΩ）與寄生電感（2 nH），支持300A以上持續電流，大幅降低開關損耗並優化EMI表現46。鍍錫焊盤與開爾文源極結構增強散熱能力（熱阻低至0.35 K/W），支持175°C高溫運行及自動光學檢測（AOI），符合AEC-Q101車規認證1710。適用於電動汽車DC-DC轉換、儲能係統、服務器電源及圖騰柱PFC等高可靠性場景，助力能效提升至97%以上

P溝道MOSFET係列提供高性能功率管理解決方案，覆蓋-20V至-150V寬電壓範圍，滿足工業、汽車及消費電子嚴苛需求689。產品采用先進溝槽技術，實現超低導通電阻（最低1.8mΩ@VGS=-10V），顯著降低導通損耗並提升係統能效46。支持-3A至-85A寬電流範圍及高脈衝電流能力（-240A），確保高負載場景下的穩定性278。低柵極電荷（典型值7nC）與快速開關特性（td(on)≤15ns），優化高頻PWM與電源轉換應用36。封裝兼容SOT-23、TO-252等緊湊設計，符合AEC-Q101認證，適用於藍牙耳機音頻放大、電池保護、DC-DC轉換及空間級高可靠性係統7910。

軍工級MOSFET MOS係列產品，嚴格遵循MIL-PRF-19500及JAN認證標準，專為極端環境設計。全係列采用密封TO-205AD（TO-39）、陶瓷LCC等封裝，支持-55℃至+175℃寬溫工作範圍，耐受325℃峰值加工溫度，確保航空航天、衛星電源及軍用裝備的高可靠性需求158。器件具備抗輻射性能（TID 100krad~300krad，LET 87 MeV·cm²/mg），有效抵禦空間粒子幹擾36。特性包括：1200V/60V高壓支持、40mΩ~5Ω超低導通電阻、8ns高速開關，適配DC-DC轉換、電機驅動及固態繼電器應用510。提供雙向瞬態電壓抑製，集成體二極管保護，顯著提升係統穩定性與壽命