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OLL MOSFET係列采用先進的晶體管外形無引線封裝（TOLL），顯著提升功率密度與電氣性能。其緊湊設計（9.90×11.68 mm²，高度2.3 mm）較傳統TO-263減少30% PCB占板麵積及60%體積，適配高密度電源設計36。全係列具備超低導通電阻（最低0.77 mΩ）與寄生電感（2 nH），支持300A以上持續電流，大幅降低開關損耗並優化EMI表現46。鍍錫焊盤與開爾文源極結構增強散熱能力（熱阻低至0.35 K/W），支持175°C高溫運行及自動光學檢測（AOI），符合AEC-Q101車規認證1710。適用於電動汽車DC-DC轉換、儲能係統、服務器電源及圖騰柱PFC等高可靠性場景，助力能效提升至97%以上

N溝道MOSFET係列采用先進溝槽工藝與超結技術，實現業界領先的低導通電阻（低至0.59mΩ@10V）與優值係數（FOM）610，顯著降低開關損耗（Qgd×RDS(on)優化46%）及導通損耗，提升電源轉換效率。產品支持4.5V邏輯電平驅動，兼容3.3V/5V MCU控製，適用於高頻開關場景69。全係提供-55℃至175℃寬工作結溫範圍，通過AEC-Q101可靠性認證，具備高雪崩能量（單脈衝325mJ）及低柵極電荷（典型值9.1nC）特性6710。封裝涵蓋SOP Advance(N)、TO-252-2L、PQFN 3.3×3.3等緊湊設計，滿足服務器電源、通信設備、藍牙耳機音頻管理、快充模塊及工業電源的高功率密度與高可靠性需求

P溝道MOSFET係列提供高性能功率管理解決方案，覆蓋-20V至-150V寬電壓範圍，滿足工業、汽車及消費電子嚴苛需求689。產品采用先進溝槽技術，實現超低導通電阻（最低1.8mΩ@VGS=-10V），顯著降低導通損耗並提升係統能效46。支持-3A至-85A寬電流範圍及高脈衝電流能力（-240A），確保高負載場景下的穩定性278。低柵極電荷（典型值7nC）與快速開關特性（td(on)≤15ns），優化高頻PWM與電源轉換應用36。封裝兼容SOT-23、TO-252等緊湊設計，符合AEC-Q101認證，適用於藍牙耳機音頻放大、電池保護、DC-DC轉換及空間級高可靠性係統7910。