P MOS-乐天堂FUN88電子

產品選型

產品篩選

EMS保護器件

TVS 瞬態抑製二極管 ESD 靜電保護元件 PPTC 自恢複保險絲 TSS 半導體放電管 GDT 氣體放電管 SBR 肖特基二極管 MOV 壓敏電阻 NTC 熱敏電阻

EMI抑製器件

信號共模濾波電感電源共模濾波電感功率電感磁珠

PowerDevices功率器件

碳化矽（SiC）產品 MOSFET RD 整流二極管 ZD 齊納二極管

SPD防雷模組

電源防雷器 PSPD 信號防雷器 SSPD 監控防雷器 PSSPD Signal 信號保護防雷模組

Cross Reference 競品對照

ESD係列 TVS係列 ZNO 壓敏電阻 GDT 氣體放電管 PPTC 自恢複保險絲

首頁產品選型 PowerDevices功率器件 MOSFET

P MOS

功能介紹

采用先進的工藝製造技術、超優(you) 化芯片結構、更優(you) 的工藝條件

低產(chan) 品導通電阻

穩定可靠的開關(guan) 特性

小型化的封裝形式：DFN5*6、DFN3.3*3.3、DFN2*2

多樣化的直件封裝形式：TO-247、TOLL、TO-263、TO-220、TO-252、TO-251等等

專(zhuan) 業(ye) 、專(zhuan) 注細分市場的產(chan) 品特性研究、開發符合行業(ye) 特色的產(chan) 品

產品規格

相關產品

OLL MOSFET係列采用先進的晶體管外形無引線封裝（TOLL），顯著提升功率密度與電氣性能。其緊湊設計（9.90×11.68 mm²，高度2.3 mm）較傳統TO-263減少30% PCB占板麵積及60%體積，適配高密度電源設計36。全係列具備超低導通電阻（最低0.77 mΩ）與寄生電感（2 nH），支持300A以上持續電流，大幅降低開關損耗並優化EMI表現46。鍍錫焊盤與開爾文源極結構增強散熱能力（熱阻低至0.35 K/W），支持175°C高溫運行及自動光學檢測（AOI），符合AEC-Q101車規認證1710。適用於電動汽車DC-DC轉換、儲能係統、服務器電源及圖騰柱PFC等高可靠性場景，助力能效提升至97%以上

N溝道MOSFET係列采用先進溝槽工藝與超結技術，實現業界領先的低導通電阻（低至0.59mΩ@10V）與優值係數（FOM）610，顯著降低開關損耗（Qgd×RDS(on)優化46%）及導通損耗，提升電源轉換效率。產品支持4.5V邏輯電平驅動，兼容3.3V/5V MCU控製，適用於高頻開關場景69。全係提供-55℃至175℃寬工作結溫範圍，通過AEC-Q101可靠性認證，具備高雪崩能量（單脈衝325mJ）及低柵極電荷（典型值9.1nC）特性6710。封裝涵蓋SOP Advance(N)、TO-252-2L、PQFN 3.3×3.3等緊湊設計，滿足服務器電源、通信設備、藍牙耳機音頻管理、快充模塊及工業電源的高功率密度與高可靠性需求

軍工級MOSFET MOS係列產品，嚴格遵循MIL-PRF-19500及JAN認證標準，專為極端環境設計。全係列采用密封TO-205AD（TO-39）、陶瓷LCC等封裝，支持-55℃至+175℃寬溫工作範圍，耐受325℃峰值加工溫度，確保航空航天、衛星電源及軍用裝備的高可靠性需求158。器件具備抗輻射性能（TID 100krad~300krad，LET 87 MeV·cm²/mg），有效抵禦空間粒子幹擾36。特性包括：1200V/60V高壓支持、40mΩ~5Ω超低導通電阻、8ns高速開關，適配DC-DC轉換、電機驅動及固態繼電器應用510。提供雙向瞬態電壓抑製，集成體二極管保護，顯著提升係統穩定性與壽命