今日， 華虹半導體(ti) 官方宣布，其第三代90 納米嵌入式 閃存 （90nm eFlash）工藝平台已成功實現量產(chan) 。
據介紹，第三代90納米嵌入式閃存工藝平台的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，創下了全球 晶圓 代工廠90納米工藝節點嵌入式閃存技術的最小尺寸紀錄。Flash IP更具麵積優(you) 勢，光罩層數進一步減少。同時，可靠性指標方麵，可達到10萬(wan) 次擦寫(xie) 及25年數據保持能。
華虹半導體(ti) 執行副總裁孔蔚然博士表示：華虹半導體(ti) 未來將繼續聚焦200mm差異化技術的研發創新，麵向高密度智能卡與(yu) 高端微控製器市場，同時不斷致力於(yu) 在功耗和麵積方麵提供顯著的優(you) 化，將200mm現有的技術優(you) 勢向300mm延伸，更好地服務國內(nei) 外半導體(ti) 芯片設計公司，滿足市場需求
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