氮化镓（GaN）技術也取得重要進展
山東大學新一代半導體材料研究院崔鵬、韓吉勝教授團隊研發出具有晶態氮化矽（SiN）帽層的新型 GaN 高電子遷移率晶體管（HEMT）。與傳統器件相比，該器件飽和電流提升 41%，擊穿電壓提升 30%。團隊通過原位生長技術，首次在 AlGaN 勢壘層上生長出 2nm 晶態 SiN 帽層，降低了界麵態密度，有效抑製尖峰電場分布，簡化了工藝流程並節約成本，在 GaN 功率開關和高功率微波領域具有重要應用潛力。
這些技術突破表明，半導體功率器件正朝著高性能、高可靠性方向加速發展，將有力推動新能源汽車、航天、通信等多個行業的技術升級與產業變革。隨著研發的持續投入和產業鏈的協同創新，功率器件技術有望在未來取得更多突破，為全球科技發展提供強大支撐
http://dpt.sdu.edu.cn/info/1037/3395.htm
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