由於(yu) 需求衰退，2023年存儲(chu) 器市場承受著供應過剩、價(jia) 格下跌的壓力，不過隨著第四季度到來，存儲(chu) 芯片產(chan) 品價(jia) 格逐漸上升，存儲(chu) 芯片市場有望擺脫低穀的困擾，全球五大原廠最新財報，也同樣印證了上述觀點。

01
五大原廠財報出爐，憂中有喜？

從(cong) 五大廠三星、SK海力士、美光、鎧俠(xia) 、西部數據的最新財報看，盡管廠商出現營收虧(kui) 損，但下滑速度明顯降緩，有廠商直言，部分下遊需求正在慢慢回溫，看好未來市場。

三星：預期Q4需求回升

三星電子10月底第三季財報顯示，該季三星營收為(wei) 67.40萬(wan) 億(yi) 韓元，盡管營收同比下降，但該公司淨利潤達5.5萬(wan) 億(yi) 韓元，超過此前預期的2.52萬(wan) 億(yi) 韓元。值得注意的是，該季度三星營業(ye) 利潤約2.4萬(wan) 億(yi) 韓元，呈現逐季成長，是第一季6400億(yi) 韓元（創2009年以來最低）、第二季6700億(yi) 韓元的三倍以上。

針對業(ye) 績變動，三星表示，得益於(yu) 8 月推出的 Galaxy Z Flip 5 和 Galaxy Z Fold 5 的強勁市場反響，以及移動 OLED 麵板的顯著銷售，主要是 蘋果的 iphoness 15 係列。

三星在10月31日舉(ju) 行的財報電話會(hui) 議上表示，受國際形勢變化、需求回升緩慢以及客戶庫存持續調整等因素影響，存儲(chu) 芯片市場複蘇前景依然不確定，但公司正關(guan) 注需求逐漸穩定改善的初步跡象，其支撐因素包括消費者樂(le) 觀情緒複蘇、通貨膨脹緩解和大客戶發布新產(chan) 品。

三星指出，隨著年底促銷活動頻繁展開、大客戶發布更多新產(chan) 品以及生成式人工智能需求強勁，公司看好第四季度存儲(chu) 芯片需求回升。

SK海力士：市況顯現好轉跡象

10月底，SK海力士發布截至2023年9月30日的2023財年第三季度財務報告。公司2023財年第三季度結合並收入為(wei) 9.07萬(wan) 億(yi) 韓元，營業(ye) 虧(kui) 損為(wei) 1.79萬(wan) 億(yi) 韓元，淨虧(kui) 損為(wei) 2.18萬(wan) 億(yi) 韓元。

SK海力士解釋道：“因高性能半導體(ti) 存儲(chu) 器產(chan) 品為(wei) 中心的市場需求增加，公司業(ye) 績在第一季度低點過後持續改善，特別是麵向AI的代表性存儲(chu) 器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等主力產(chan) 品的銷售勢頭良好，與(yu) 上季度相比營業(ye) 收入增長24%，營業(ye) 損失減少38%。”公司還強調：“今年第一季度由盈轉虧(kui) 的DRAM僅(jin) 在兩(liang) 個(ge) 季度後扭虧(kui) 為(wei) 盈，其具有重要意義(yi) 。”

針對營業(ye) 收入的增加趨勢，SK海力士分析道：“DRAM和NAND閃存的整體(ti) 銷量增長的同時，DRAM的平均售價(jia) （ASP，Average Selling Price）的上升也產(chan) 生了較大影響。”

從(cong) 產(chan) 品來看，DRAM得益於(yu) AI等高性能麵向服務器的產(chan) 品銷售好轉，與(yu) 第二季度相比出貨量增長了約20%，與(yu) 此同時ASP也上升了約10%。NAND閃存在高容量移動端產(chan) 品和固態硬盤（SSD，Solid State Drive）的出貨量有所增加。

SK海力士預測，扭虧(kui) 為(wei) 盈的DRAM得以生成型AI熱潮影響，市況有望持續好轉。連續虧(kui) 損的NAND也隨著市況好轉跡象的逐漸呈現，公司將竭盡全力保持整體(ti) 業(ye) 績的改善趨勢。並表示，今年下半年，在各存儲(chu) 器供應商的減產(chan) 效果可視化的情況下，庫存減少的客戶正在創造半導體(ti) 存儲(chu) 器采購需求，產(chan) 品價(jia) 格也進入了穩定趨勢。

此外，SK海力士透露稱，公司決(jue) 定加大對HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力產(chan) 品的投資。公司將進行以第四代10納米級(1a)和第五代10納米級(1b)DRAM為(wei) 中心的生產(chan) 線轉換，同時擴大對HBM TSV*技術的投資。

美光：存儲(chu) 市場明年將迎來複蘇

9月底，美光科技公布截至2023年8月31日的2023財年第四財季業(ye) 績，該季美光實現40.1億(yi) 美元營收，同比下降40%，但好於(yu) 市場預期的39.3億(yi) 美元。

業(ye) 務上看，美光科技DRAM業(ye) 務營收達28億(yi) 美元，在總營收占比中達69%，DRAM位元出貨量環比實現增長，ASP則環比下降。NAND Flash營收為(wei) 12億(yi) 美元，在總營收占比中達30%，位元出貨量環比增長，ASP下降。

美光預計2024財年第一財季公司營收有望邁向複蘇進程，營收將達42億(yi) 至46億(yi) 美元。

對於(yu) 未來的展望，美光表示，2023財年，在充滿挑戰的存儲(chu) 器市場環境中，美光保持了技術領先地位，推出了大量領先產(chan) 品，並在供應和成本方麵采取了果斷行動。隨著市場需求增加以及供應調整，美光預計存儲(chu) 市場2024年將迎來複蘇，2025年則再進一步提升。

鎧俠(xia) ：NAND價(jia) 格已觸底反彈

鎧俠(xia) 11月14日公布上季（2023年7-9月）財報，本季度營收2414億(yi) 日元（約16.7億(yi) 美元），環比下降3.9%，同比下降38.3%。

由於(yu) 智能手機和個(ge) 人電腦（PC）內(nei) 存芯片需求下滑，鎧俠(xia) 第二季度出現了1008億(yi) 日元的運營虧(kui) 損。但鎧俠(xia) 稱，受益於(yu) 存儲(chu) 供需平衡的改善、優(you) 化了存儲(chu) 組合以及弱勢日元匯率的綜合表現，經營虧(kui) 損環比上季度有所好轉。

從(cong) 出貨量上看，7-9月，鎧俠(xia) NAND出貨量有所下降，該季度其營收環比同比雙雙下降，而受益於(yu) NAND價(jia) 格觸底回升，該季度虧(kui) 損情況有所改善。鎧俠(xia) NAND Bit出貨量環比下降約13%，以日元計價(jia) 的NAND ASP增長約8%。鎧俠(xia) 表示，由於(yu) 該季度NAND出貨量減少，季度營收環比下降。

展望2024年，鎧俠(xia) 認為(wei) ，原廠的減產(chan) 策略影響了整體(ti) 供應量，加上客戶庫存趨於(yu) 正常化，市場供需平衡會(hui) 繼續改善，NAND價(jia) 格已經觸底反彈。但由於(yu) 宏觀經濟的不確定性和通用型服務器需求疲軟，導致企業(ye) IT支出下降。預計數據中心和企業(ye) 級SSD需求將在2024上半年後複蘇，對於(yu) NAND市場增長潛力和長期需求持有信心。

據悉，鎧俠(xia) 將繼續根據市況進行生產(chan) 調整，並合理管理運營費用，同時減少生產(chan) 成本。

西數：雲(yun) 端市場將繼續增長

10月底，西部數據公布2024財年第一財季業(ye) 績，該公司第一季度收入為(wei) 27.5億(yi) 美元，環比增長3%，同比下降26%。

終端市場，該季度中閃存價(jia) 格仍下跌，但受閃存產(chan) 品出貨量增長影響，部分業(ye) 務出現環比增長的現象。其中，西部數據雲(yun) 業(ye) 務收入為(wei) 8.72億(yi) 美元，占總收入的32%，環比下降12%，同比下降52%；客戶端收入11.47億(yi) 美元，占總收入的42%，環比增長11%，同比下降7%；消費者收入7.31億(yi) 美元，占總收入的26%，環比增長14%，同比增長8%。

西部數據CEO David Goeckeler表示，公司第一財季的業(ye) 績超出預期，因為(wei) 該團隊努力提高業(ye) 務敏捷性並在廣泛的終端市場開發差異化和創新產(chan) 品，從(cong) 而導致閃存和HDD業(ye) 務的利潤率連續提高。

David Goeckeler指出，公司消費者和客戶端市場繼續表現良好，預計其雲(yun) 端市場將繼續增長。隨著市場狀況持續改善，公司改進的成本結構使西部數據能夠利用增強的盈利能力。

此外，西部數據預計，2024財年第二季度收入將在28.5億(yi) 美元至30.5億(yi) 美元之間。

02
供需變動：部分下遊“破冰”，細分應用拉升

半導體(ti) 和存儲(chu) 市場周期性趨同，半導體(ti) 整個(ge) 行業(ye) 步入下行時，存儲(chu) 市場受到了極大逆風衝(chong) 擊，但存儲(chu) 市場整體(ti) 波動性較大，彈性較強。下半年來，行業(ye) 逐漸釋出積極信號，市場待回暖的過程中，存儲(chu) 市場也將體(ti) 現出良好的跡象。

回首渡冬的日子裏，存儲(chu) 廠商持續降低資本開支、減產(chan) 調節庫存，以控製市場過剩的供應總量，通過這些減產(chan) 策略的強烈執行下，市場庫存水位正趨向正常化。同時，AI服務器、高性能計算、汽車智能化等領域催生大量的存儲(chu) 需求，給予了市場更多信心。

步入下半年來，存儲(chu) 芯片供需格局改善的跡象加速顯現。綜合需求端來看，經曆了漫長的庫存消化，供應鏈釋出智能手機、筆電等終端需求呈現走出穀底的征兆，加上蘋果、小米、vivo等公司發布新品後，拉動部分需求改善。群聯曾稱已看到來自大陸的模組與(yu) 智能手機客戶需求增強，部分客戶甚至已接受了30%至35%的價(jia) 格上漲。而晶圓代工廠龍頭台積電表示，第四季客戶AI需求持續強勁，推升3nm量產(chan) 動能，但客戶持續控管庫存，庫存調整將延續至第四季，不過也透露已看到PC、手機客戶需求回溫跡象。

服務器方麵，隨著AI服務器的高算力要求推升高帶寬存儲(chu) 器HBM需求，三星、美光、SK海力士等原廠爭(zheng) 先布局HBM，加上通用服務器CPU升級加速DDR5的滲透。而汽車存儲(chu) 方麵，汽車電動化、智能化、網聯化不斷推進，拉升車載存儲(chu) 需求，同時東(dong) 芯半導體(ti) 、佰維存儲(chu) 等更多國內(nei) 廠商車載存儲(chu) 產(chan) 品打入汽車電子供應鏈體(ti) 係，汽車存儲(chu) 市場發展值得期待。除了上述細分應用，例如大數據、雲(yun) 計算、可穿戴設備等跟高速存儲(chu) 、高可靠性、數據安全性相關(guan) 的應用也具備著很大的發展潛力，這些也將使存儲(chu) 廠商受益。

03
存儲芯片全麵上漲，拐點將至？

集邦谘詢資深研究副總經理吳雅婷表示，2023年全球閃存市場在供貨商采取激進減產(chan) 的策略下，終於(yu) 在第四季度迎來全麵性的漲價(jia) 。據TrendForce集邦谘詢數據顯示，第四季NAND Flash合約價(jia) 全麵起漲，漲幅約8~13%。

TrendForce集邦谘詢預估，2023年供應位年增率為(wei) -2.8%，為(wei) 數年來首次出現負增長的年度，帶動整體(ti) sufficiency ratio來到-3.7%，成為(wei) 下半年閃存價(jia) 格止跌回穩的基礎。不過，吳雅婷認為(wei) ，由於(yu) 缺乏實質終端強勁的需求出現，現階段的漲勢延續性仍不明朗，倘若需求如期在2024下半年回溫，尤其服務器SSD采購動能有所提升，再加上供貨商不躁進恢複產(chan) 能利用率，預期整體(ti) sufficiency ratio可控製在-9.4%，加速供需平衡，閃存價(jia) 格便有望呈現全年走升的格局。

DRAM方麵，TrendForce集邦谘詢預估第四季DRAM合約價(jia) 季漲幅約3~8%。並認為(wei) ，此波漲勢能否延續需觀察供應商是否持續堅守減產(chan) 策略，以及實際需求回溫的程度，其中最關(guan) 鍵的是通用型服務器領域。

此前南亞(ya) 科總經理李培瑛在法說會(hui) 表示，第四季價(jia) 格會(hui) 比第三季更穩定，各家供應商都在想辦法鎖住DDR4跌勢、甚至拉升價(jia) 格，是否能成功要觀察未來幾周變化，目前DDR5價(jia) 格已上漲，DDR4已有兩(liang) 家大廠壓力減輕，持續跌價(jia) 機率也不高，看好DDR4、DDR3 價(jia) 格可望翻漲。

此外，針對內(nei) 存產(chan) 業(ye) ，吳雅婷在MTS2024存儲(chu) 產(chan) 業(ye) 趨勢研討會(hui) 指出，展望2024年，內(nei) 存市場將有下列三個(ge) 關(guan) 注事項：一，減產(chan) 後原廠庫存水位已開始下降，但仍需觀望庫存能否持續往買(mai) 方轉移；二，預期原廠產(chan) 能將緩慢增加，倘若因市況回溫而提早恢複稼動率，將使得供需再次失衡；三，各終端需求能否符合預期回溫，其中AI相關(guan) 訂單的持續將是重心。