5月15日，鎧俠(xia) 公布截至2024年3月31日的2023財年第四季度財報，此前三星、SK海力士、美光與(yu) 西部數據均已公布今年最新財報，為(wei) 存儲(chu) 市場釋放出了良好信號。展望未來，存儲(chu) 市況又將如何發展？

01
鎧俠扭虧為盈

該季鎧俠(xia) 營收3221億(yi) 日元，環比增長60.1%，實現營業(ye) 利潤439億(yi) 日元、淨利潤103億(yi) 日元，二者環比皆扭虧(kui) 為(wei) 盈。

對於(yu) 該季表現，鎧俠(xia) 表示，得益於(yu) 市場供需平衡改善，公司營收隨著產(chan) 品平均售價(jia) （ASP）的增長而增加，以美元為(wei) 基礎的ASP在該季度上漲了約20%。同時，在ASP增加和庫存價(jia) 值損失減少的支持下，鎧俠(xia) 回到了盈利狀態。

該季鎧俠(xia) 推出了新一代UFS 4.0嵌入式閃存產(chan) 品，並開始生產(chan) 采用CBA技術的第八代BiCS FLASH，以提高產(chan) 品的性能和成本效益。此外，鎧俠(xia) 還展示了其在數據中心和企業(ye) 級SSD領域的實力。

展望未來，鎧俠(xia) 認為(wei) 供應需求平衡將持續改善，銷售價(jia) 格上升，閃存製造商將調整生產(chan) 以應對智能手機與(yu) PC市場需求增長；PC、AI帶動下，SSD尤其是高性能SSD需求將上漲，鎧俠(xia) 認為(wei) SSD市場長期增長潛力將大於(yu) NAND閃存市場；鎧俠(xia) 將繼續優(you) 化生產(chan) 和運營成本，以應對市場變化，確保盈利與(yu) 公司競爭(zheng) 力。

02
其他原廠業績同樣成長

2024年以來，在AI強勢驅動下，存儲(chu) 器市場迎來較為(wei) 強勁發展，尤其是以HBM、DDR5等為(wei) 代表的高附加值產(chan) 品，市場需求持續上漲，帶動原廠業(ye) 績成長。除鎧俠(xia) 外，其他原廠同樣公布了亮眼業(ye) 績。

三星今年一季度負責半導體(ti) 業(ye) 務的數字解決(jue) 方案（DS）部門營收為(wei) 23.14萬(wan) 億(yi) 韓元，營業(ye) 利潤為(wei) 1.91萬(wan) 億(yi) 韓元，自2022年第四季度以來首次實現盈利。其中，存儲(chu) 業(ye) 務營收為(wei) 17.49萬(wan) 億(yi) 韓元，環比增長11.3%，同比增長96.1%。

SK海力士今年第一季度營收為(wei) 12.4296萬(wan) 億(yi) 韓元，營業(ye) 利潤為(wei) 2.886萬(wan) 億(yi) 韓元，淨利潤為(wei) 1.917萬(wan) 億(yi) 韓元。SK海力士在去年第四季度已經實現扭虧(kui) 為(wei) 盈，今年一季度該公司營業(ye) 利潤也創下了市況最佳的2018年以來同期第二高。

美光截至2024財年二財季（截至2024年2月）財報顯示，該季美光實現營收58.24億(yi) 美元，同比增長58%，GAAP淨利潤為(wei) 7.93億(yi) 美元，成功實現扭虧(kui) 為(wei) 盈。

西部數據今年一季度營收34.57億(yi) 美元，同比增長23%。在Non-GAAP會(hui) 計準則下，西部數據淨利潤為(wei) 2.10億(yi) 美元，同樣實現扭虧(kui) 為(wei) 盈。

03
存儲器市場景氣能否持續？

值得注意的是，盡管原廠堅定看好AI以及消費電子為(wei) 存儲(chu) 器市場帶來的助力，但業(ye) 界認為(wei) ，此次存儲(chu) 市場上揚並非因為(wei) 終端市場全麵複蘇，更多是因為(wei) 存儲(chu) 原廠根據市況調節產(chan) 能，推動供需平衡發展，進而改善盈利。

終端市場方麵，AI浪潮下HBM雖然發展火熱，但產(chan) 能供應不足，消費電子市場複蘇則不如人們(men) 此前預期。因此，業(ye) 界對後續存儲(chu) 市況觀點較原廠更加謹慎。

然而，今年受台灣地區403地震影響，市場零星傳(chuan) 出有PC OEM供應商出於(yu) 特殊考量，接受高昂的DRAM及NAND Flash合約價(jia) 漲幅，但僅(jin) 是零星成交情況。至4月下旬，相關(guan) 業(ye) 者陸續完成新一輪合約價(jia) 議價(jia) 後，漲幅較原先預期擴大，推動全球市場研究機構TrendForce集邦谘詢同步上修第二季DRAM、NAND Flash合約價(jia) 漲幅，除了反映買(mai) 方欲支撐在手庫存的價(jia) 值，關(guan) 鍵更包含供需兩(liang) 端對AI市場展望的考量。集邦谘詢預計，第二季DRAM合約價(jia) 季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jia) 季漲幅同步上修至約15~20%。

NAND Flash方麵，集邦谘詢重點指出，受限於(yu) 消費性產(chan) 品需求複蘇情況不明朗，故原廠普遍對於(yu) 非HBM晶圓產(chan) 能的資本支出趨於(yu) 保守，尤其是價(jia) 格仍處於(yu) 損益平衡點的NAND Flash。