《乐天堂FUN88電子》為(wei) 您推送

    據報道，德國矽基氮化镓專(zhuan) 家ALLOSSemiconductors宣布與(yu) 沙特阿卜都拉國王科技大學（KAUST）研究團隊達成合作，雙方將共同研發高效矽基InGaN紅色MicroLED。據了解，大晶格失配（latticemismatch）和量子限製斯塔克效應（quantum-confinedStarkeffect，QCSE）等問題限製了紅色氮基LED在實際工業(ye) 應用中的使用，而ALLOS與(yu) KAUST本次合作將致力於(yu) 解決(jue) 這些基本問題。

圖片來源：KAUST
值得注意的是，在MicroLED顯示領域，除了藍色和綠色LED之外，MicroLED顯示還對在大尺寸晶圓上生長紅色LED有強勁的需求，目的在於(yu) 降低製造複雜性和成本。
據悉，KAUST團隊此前通過采用局部應變補償(chang) （LocalStrainCompensation）和改良後的MOCVD反應器設計，在開發正向電壓（ForwardVoltage）低於(yu) 2.5V且高效的InGaN基紅色MicroLED方麵獲得了一些突破。他們(men) 已在藍寶石襯底和Ga2O3（氧化镓）襯底上生長出紅色LED。
為(wei) 了采用晶圓級（尤其是大尺寸晶圓）工程應變技術來開發潛在高性能紅色LED，KAUST團隊與(yu) ALLOS共同將研究工作延伸到矽襯底上。憑借能夠將晶圓片擴展到300mm以及在矽襯底產(chan) 線上加工的能力，雙方的合作將加快量產(chan) 進程。對於(yu) MicroLED顯示器，特別是用於(yu) AR設備的單片集成MicroLED顯示器而言，這將是另一個(ge) 重要的助攻。
KAUST團隊與(yu) ALLOS將充分利用各自的專(zhuan) 業(ye) 知識來處理應變問題，優(you) 化矽基氮化镓和紅色LED的晶體(ti) 生長條件，進而實現在矽基氮化镓緩衝(chong) 層上生長紅色LED堆棧（Stack）。